[实用新型]半鳍式FET半导体器件有效
| 申请号： | 201220472095.3 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN202816956U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 陈向东;夏维 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半鳍式FET半导体器件。根据一个实施方式，半鳍式FET半导体器件包括形成于半导体主体上方的栅极结构。半导体主体包括由延伸超过栅极结构第一侧的多个鳍构成的源极区以及与和栅极区的与多个鳍相对的第二侧相邻的连续漏极区。连续漏极区使半鳍式FET半导体器件具有降低的导通电阻。制造具有半鳍式FET结构的半导体器件的方法，包括：在半导体主体内指定源极和漏极区、蚀刻源极区以产生多个源极鳍，同时在蚀刻期间掩膜漏极区以提供连续漏极区，从而使得半鳍式FET结构具有降低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半鳍式 fet 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半鳍式FET半导体器件，包括：栅极结构，形成于半导体主体上方；所述半导体主体包括由延伸超过所述栅极结构的第一侧的多个鳍构成的源极区；所述半导体主体还包括与所述栅极结构的与所述多个鳍相对的第二侧相邻的连续漏极区；其中，所述连续漏极区使得所述半鳍式FET半导体器件具有降低的导通电阻。
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