[实用新型]高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构有效
| 申请号： | 201220570677.5 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN202871801U | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 陈建斌 | 申请（专利权）人： | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/495 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰;曾丹 |
| 地址： | 214421 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构，它包括框架（1）以及粘贴于框架（1）上的大电流VDMOS功率器件芯片（2），所述大电流VDMOS功率器件芯片（2）的G极与框架（1）的G脚之间连接有一根G引线（3），所述大电流VDMOS功率器件芯片（2）的S极与框架（1）的S脚之间连接有两根S引线（4），其特征在于所述S引线（4）与大电流VDMOS功率器件芯片（2）的S极之间为双点键合。本实用新型由于S引线与大电流VDMOS功率器件芯片的S极之间为双点键合，使得S引线与大电流VDMOS功率器件芯片的S极之间增大了接触面积，使得电性内阻减小，芯片性能提高的同时不会增加成本。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 电流 vdmos 功率 器件 芯片 双点键合 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片双点键合封装结构，它包括框架（1）以及粘贴于框架（1）上的大电流VDMOS功率器件芯片（2），所述大电流VDMOS功率器件芯片（2）的G极与框架（1）的G脚之间连接有一根G引线（3），所述大电流VDMOS功率器件芯片（2）的S极与框架（1）的S脚之间连接有两根S引线（4），其特征在于所述S引线（4）与大电流VDMOS功率器件芯片（2）的S极之间为双点键合。
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