[实用新型]一种背发射极太阳能电池有效
申请号: | 201220616938.2 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN203038932U | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 金井升;许佳平;黄纪德;王单单;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 上饶光电高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种背发射极太阳能电池,包括半导体衬底、位于所述半导体衬底正面的减反射层、位于所述半导体衬底背面的钝化层;位于所述半导体衬底通孔内的导电电极,与所述导电电极电性相连的多个第一背接触电极和多个细栅;位于所述钝化层的开口内的多个第二背接触电极,所述第二背接触电极与所述第一背接触电极绝缘;位于所述半导体衬底背表面内且与该半导体衬底欧姆接触的局部背发射极,所述局部背发射极与所述钝化层的开口区域相对应,且与所述第二背接触电极电性相连。该太阳能电池的半导体衬底中形成导电电极,将正面细栅收集的电流导到电池背面,从而省略了主栅,减小了太阳能电池正面的遮光面积,有效提高了太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 发射极 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种背发射极太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括: 基底,所述基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底正面的减反射层、位于所述半导体衬底背面的钝化层,该基底上具有多个贯穿减反射层、半导体衬底和钝化层的通孔,且所述钝化层上还具有多个仅贯穿其自身的开口; 位于所述半导体衬底通孔内的导电电极,所述导电电极充满所述通孔; 与所述导电电极电性相连的多个第一背接触电极; 位于所述钝化层的开口内的多个第二背接触电极,所述第二背接触电极充满所述开口,并且与所述第一背接触电极绝缘; 位于所述半导体衬底背表面内且与该半导体衬底欧姆接触的局部背发射极,所述局部背发射极与所述钝化层的开口区域相对应,且与所述第二背接触电极电性相连; 与导电电极电性相连的多个细栅,所述细栅穿透所述减反射层,且与所述半导体衬底电性相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上饶光电高科技有限公司,未经上饶光电高科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201220616938.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光伏汇流箱的防水结构
- 下一篇:具有终端保护结构的半导体功率器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的