[实用新型]一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构

摘要

一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，属于光通信物理层集成电路领域，包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区、第六版图区、第七版图区、第八版图区、第九版图区、第十版图区、第十一版图区、第十二版图区、第十三版图区、第十四版图区、第十五版图区、第十六版图区、第十七版图区和第十八版图区。版图主要分为上、中上、中、中下、下和四周六部分。本实用新型通过对芯片版图的合理布局和各版图区的合理设计，更好地实现了基于RF-CMOS工艺的宽带光通信跨阻放大器的低噪声、高带宽等电路功能。

主权项

一种RF‑CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构，其特征在于，包括第一版图区(001)、第二版图区(002)、第三版图区(003)、第四版图区(004)、第五版图区(005)、第六版图区(006)、第七版图区(007)、第八版图区(008)、第九版图区(009)、第十版图区(010)、第十一版图区(011)、第十二版图区(012)、第十三版图区(013)、第十四版图区(014)、第十五版图区(015)、第十六版图区(016)、第十七版图区(017)和第十八版图区(018)；所述第十七版图区(017)、第十五版图区(015)、第十二版图区(012)和第十一版图区(011)依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的上部；所述第九版图区（009）、第十版图区（010）、第三版图区（003）和第一版图区（001）依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的中上部；所述第八版图区（008）位于所述跨阻放大器版图结构的中部；所述第十四版图区（014）、第六版图区（006）和第七版图区（007）依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的中下部；所述第十六版图区（016）、第十三版图区（013）、第五版图区（005）、第四版图区（004）和第二版图区（002）依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的下部；所述第十八版图区(018)位于所述跨阻放大器版图结构的四周。