[实用新型]单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置有效
申请号: | 201220672715.8 | 申请日: | 2012-12-07 |
公开(公告)号: | CN202968689U | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 吴卿;周立庆;刘兴新;徐强强 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 吴永亮 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置,该装置在石英安瓿的颈部设置安瓿支架,所述安瓿支架内设有通道;所述通道内设置导流管,所述导流管的一端插进所述石英安瓿的底部,所述导流管的另一端穿出所述安瓿支架与排气管相连接,所述排气管的另一端与真空泵连接;所述安瓿支架上还设有进气管,所述进气管内的碳膜裂解气体通过所述导流管与所述颈部之间的空隙进入所述石英安瓿;所述进气管和所述排气管上均设有流量计。通过在石英安瓿的颈部设置一个安瓿支架,并通过设置在进气管和排气管上的流量计实现石英安瓿内裂解气体的动态平衡,从而在石英安瓿内得到均匀的碳膜。 | ||
搜索关键词: | 生长 石英 安瓿 内壁 制备 装置 | ||
【主权项】:
一种单晶生长用石英安瓿内壁碳膜制备装置,其特征在于,包括:在石英安瓿(1)的颈部(2)设置安瓿支架(4),所述安瓿支架(4)内设有通道;所述通道内设置导流管(3),所述导流管(3)的一端插进所述石英安瓿(1)的底部,所述导流管(3)的另一端穿出所述安瓿支架(4)与排气管(7)相连接,所述排气管(7)的另一端与真空泵连接;所述安瓿支架(4)上还设有进气管(8),所述进气管(8)内的碳膜裂解气体通过所述导流管(3)与所述颈部(2)之间的空隙进入所述石英安瓿(1);所述进气管(8)和所述排气管(7)上均设有流量计。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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