[实用新型]用于检测封装后芯片漏电的结构有效
| 申请号： | 201220673148.8 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN202957239U | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈灿;孙艳辉;张冠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种用于检测封装后芯片漏电的结构，采用环绕金属互连线三面的测试线，从而减少所述金属互连线与所述测试线之间的距离，能使漏电检测的结果更加敏感，方便判断所述金属互连线是否存在漏电，进而判断所述介质层是否受到损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 封装 芯片 漏电 结构 | ||
【主权项】：
一种用于检测封装后芯片漏电的结构，所述封装后芯片包括多层介质层以及形成于所述多层介质层中的多层金属互连线，相邻层的金属互连线通过通孔连线电连接；其特征在于，包括：多层测试线，形成于所述多层介质层中，所述多层测试线三面围绕所述金属互连线，并通过所述多层介质层与所述多层金属互连线电隔离；多个第一测试盘，形成于所述多层介质层中，每一层所述测试线均连接一第一测试盘；顶层金属连线，形成于所述多层介质层中最顶层的介质层中，所述顶层金属连线电连接所述多层金属互连线中最顶层的金属互连线；第二测试盘，与所述顶层金属连线电连接；焊接盘，形成于所述多层介质层中最顶层的介质层上。
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