[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201220689830.6 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN202957251U | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 闫梁臣;王东方 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，用以提高薄膜晶体管驱动电压的稳定性以及寿命。本实用新型提供的薄膜晶体管包括：基板、形成在所述基板上的栅极、有源层和源漏极层；以及形成在所述基板上位于所述栅极和有源层之间的栅极绝缘层和位于所述有源层和源漏极层之间的刻蚀阻挡层；所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层由至少两层绝缘层制作而成；或者所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层由至少两层绝缘层制作而成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板、形成在所述基板上的栅极、有源层和源漏极层；以及形成在所述基板上位于所述栅极和有源层之间的栅极绝缘层和位于所述有源层和源漏极层之间的刻蚀阻挡层；所述栅极绝缘层位于所述有源层之上，所述栅极绝缘层由至少两层绝缘层制作而成；或者所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上，所述刻蚀阻挡层由至少两层绝缘层制作而成；其中，所述栅极绝缘层或刻蚀阻挡层为至少两层绝缘层时，距离有源层最近的一层绝缘层的致密度低于其余绝缘层的致密度。
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