[实用新型]一种再布线多芯片QFN封装器件有效

专利信息
申请号: 201220700022.5 申请日: 2012-12-17
公开(公告)号: CN202996810U 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/16
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种再布线多芯片QFN封装器件。制造形成的再布线多芯片QFN封装器件具有多个堆叠的IC芯片,其中母IC芯片通过粘贴材料配置于芯片载体上,子IC芯片可以通过粘贴材料、隔片材料或者焊接材料配置于母IC芯片上方,绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间、以及引脚与引脚之间,母IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层,引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接,第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面,采用塑封材料进行包封。本实用新型达到突破传统QFN封装的低I/O数量、高封装成本的瓶颈和提高封装体的可靠性的目的。
搜索关键词: 一种 布线 芯片 qfn 封装 器件
【主权项】:
一种再布线多芯片QFN封装器件,其特征在于:芯片载体配置于封装器件的中央部位;多个引脚配置于芯片载体四周,围绕芯片载体呈多圈排列;绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间,以及引脚与引脚之间;母IC芯片通过粘贴材料配置于芯片载体上;子IC芯片通过粘贴材料配置于母IC芯片的上方;第一金属材料层围绕母IC芯片排列;引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接;母IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层;子IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层;第二金属材料层配置于芯片载体和引脚的下表面;塑封材料包覆密封上述母IC芯片、子IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层、再布线层和芯片载体,仅仅暴露出配置于芯片载体和引脚下表面的第二金属材料层。
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