[实用新型]低噪声放大器的封装结构有效
| 申请号： | 201220722002.8 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN203014745U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘宇华;黄亭尧 | 申请（专利权）人： | 络达科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种低噪声放大器的封装结构，尤指一种利用电路板配合芯片设置电容或电感的低噪声放大器的封装结构，包含有一芯片及一电路板。其中，芯片中设有第一电感、N型金氧半晶体管及一第二电感，并设有多个接点。电路板布设有多个接点及一线电感，各接点分别与芯片对应的接点连接。其中，线电感连接芯片的第二电感，形成一退耦电感。本实用新型的低噪声放大器的封装结构，可利用电路板上的空间进行电容或电感的匹配，减少芯片所需的面积、降低芯片的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种低噪声放大器的封装结构，其特征在于，包含有：一芯片，该芯片中设有一第一电感、二N型金氧半晶体管及一第二电感，并设有多个接点；一电路板，布设有多个接点及一线电感；及多个连接线，分别连接芯片的接点与对应的电路板接点；其中，该线电感连接芯片的第二电感，形成一退耦电感。
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