[实用新型]一种双极电容结构

摘要

本实用新型提供一种双极电容结构，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的第一介质层中形成接触孔，同时在第二类掺杂区上的第一介质层中形成所需的电容窗口；生长二氧化硅层，去净选取的部分电容窗口中的二氧化硅层，再去除淀积的部分氮化硅层，以保留所需的电容窗口内的氮化硅层，形成不同电容。本实用新型能缩短发射区退火工艺生产时间，解决特殊电路高低压模块中对电容值及电容耐压的要求以及解决发射区与接触孔光刻对位精度对产品的影响。

主权项

一种双极电容结构，包括： 一半导体衬底，所述半导体衬底的外延层中有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离； 淀积在所述半导体衬底上的第一介质层； 分别形成在所述深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离上的第一介质层中的接触孔，以及形成在所述第二类掺杂区上的第一介质层中所需的电容窗口； 二氧化硅层和氮化硅层，由下至上形成复合电容位于所需的电容窗口中。