[发明专利]单晶硅晶片的制造方法及退火晶片有效
申请号: | 201280006313.7 | 申请日: | 2012-01-06 |
公开(公告)号: | CN103328696A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 曲伟峰;田原史夫;大井裕喜;杉泽修 | 申请(专利权)人: | 信越半导体股份有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B33/02;H01L21/324 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张永康;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法,其是在非氮化性环境下,以1150~1300℃,对单晶硅晶片进行1~120分钟的热处理,其中,所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而得,并且氧浓度不足7ppma,氮浓度为1×1013~1×1014atoms/cm3。由此,提供一种单晶硅晶片的制造方法,其使用以能够对应大口径的CZ法制造而成的V区域的晶片,消除主体中的缺陷,并且即使不进行中子照射,面内电阻率分布也与进行中子照射时为相同水平,由此,制造一种可以应用于IGBT的低成本的单晶硅晶片。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 晶片 制造 方法 退火 | ||
【主权项】:
一种单晶硅晶片的制造方法,其特征在于,其是在非氮化性环境下,以1150~1300℃,对单晶硅晶片进行1~120分钟的热处理,并且,所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而获得,并且氧浓度不足7ppma,氮浓度为1×1013~1×1014原子/cm3。
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