[发明专利]具有多个浮栅的沟槽型MOS势垒肖特基(TMBS)无效
| 申请号： | 201280007672.4 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN103403870A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 高隆庆 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种半导体整流器，该半导体整流器包括具有第一导电类型的半导体衬底。在该衬底上形成外延层。该外延层具有第一导电类型并相较于该衬底进行较轻的掺杂。在该外延层中形成多个浮栅并在该外延层之上布置金属层以在其间形成肖特基接触。在该金属层之上形成第一电极，并且在该衬底的背面上形成第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多个浮栅 沟槽 mos 势垒肖特基 tmbs | ||
【主权项】：
一种半导体整流器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；形成于所述衬底上的外延层，所述外延层具有所述第一导电类型并且相较于所述衬底而被较轻地掺杂；形成于所述外延层中的多个浮栅；金属层，所述金属层被布置在所述外延层之上以在之间形成肖特基接触；以及形成在所述金属层之上的第一电极以及形成在所述衬底的背面上的第二电极。
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