[发明专利]四氮杂芘化合物及其作为N-型半导体的用途无效
| 申请号： | 201280008302.2 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103347883A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | N·兰格尔;S·盖伯;S·马滕斯;L·加德 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C07D471/22 | 分类号： | C07D471/22;C09K11/06;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： |
本发明提供式（I）的四氮杂芘化合物及其用作n-型半导体的用途。在式（I）中，R1、R2、R3、R4在每种情况下独立地选自H、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C1-30烷硫基、C6-14芳基、C6-14芳氧基、C6-14芳硫基、C7-20芳基烷基、Cl和Br；R5、R6在每种情况下独立地选自H、C1-30烷基、C1-30卤代烷基、C6-14芳基和C7-20芳基烷基，其中芳基和芳基烷基可以任选地被一个或多个卤素、C1-4卤代烷基、-CN、-NO2、-CHO、-COOH、-CONH2、-CO(C1-14烷基)、-COO(C1-14烷基)、-CONHC(C1-14烷基)和-CON(C1-14烷基)2取代，前提是R1、R2、R3和R4中的至少一个是C6-14芳氧基、C6-14芳硫基、Cl或Br。（I）。 |
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| 搜索关键词： | 四氮杂芘 化合物 及其 作为 半导体 用途 | ||
【主权项】：
1.式（I）的四氮杂芘化合物：![]()
其中R1、R2、R3、R4在每种情况下独立地选自H、C1-30烷基、C1-30烷氧基、C1-30烷硫基、C6-14芳基、C6-14芳氧基、C6-14芳硫基、C7-20芳基烷基、Cl和Br，R5、R6在每种情况下独立地选自H、C1-30烷基、C1-30卤代烷基、C6-14芳基和C7-20芳基烷基，其中芳基和芳基烷基可以任选地被一个或多个卤素、C1-4卤代烷基、-CN、-NO2、-CHO、-COOH、-CONH2、-CO(C1-14烷基)、-COO(C1-14烷基)、-CONHC(C1-14烷基)和-CON(C1-14烷基)2取代，前提是R1、R2、R3和R4中的至少一个是C6-14芳氧基、C6-14芳硫基、Cl或Br。
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