[发明专利]薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置有效
申请号: | 201280008791.1 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103460357A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 奥本有子;宫本明人;受田高明 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;G09F9/30;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/08;H05B33/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 徐健;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此,在俯视第1开口部的底部的情况下,其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离,另外,在俯视第2开口部的底部的情况下,其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 器件 及其 制造 方法 有机 el 显示 元件 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管器件,具备在相互隔开间隔的状态下相邻配置的第1薄膜晶体管元件和第2薄膜晶体管元件,各薄膜晶体管元件具备:栅电极;源电极和漏电极,其层叠形成在所述栅电极的上方,在与叠层方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置;绝缘层,其插置在所述栅电极与所述源电极及所述漏电极之间;以及半导体层,其形成在所述源电极与所述漏电极之间的间隙以及所述源电极和所述漏电极上,与所述源电极和所述漏电极紧密接触,在所述第1薄膜晶体管元件中的所述半导体层与所述第2薄膜晶体管元件中的所述半导体层之间形成有对彼此之间进行区划的隔壁,所述隔壁分别围绕所述第1薄膜晶体管元件中的所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分、和第2薄膜晶体管元件中的所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分,且表面具有拨液性,将通过围绕所述第1薄膜晶体管元件中的所述源电极和所述漏电极各自的至少一部分而构成的开口部作为第1开口部,将通过围绕所述第2薄膜晶体管元件中的所述源电极和所述漏电极各自的至少一部分而构成的开口部作为第2开口部时,在俯视所述第1开口部的底部的情况下,在所述第1开口部的底部露出的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置与所述第1开口部底部的面积的中心位置相比向与所述第2开口部相邻的一侧的相反侧远离,在俯视所述第2开口部的底部的情况下,在所述第2开口部的底部露出的所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置与所述第2开口部底部的面积的中心位置相比向与所述第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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