[发明专利]多层基板的制造方法、去胶渣处理方法无效
| 申请号： | 201280009111.8 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103392388A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 植木志贵;滨威史;加纳丈嘉 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/42 | 分类号： | H05K3/42;H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种所形成的金属层的密接性及图案的高精细性佳，且经由孔的金属层间的连接可靠性高、良率佳的多层基板的制造方法，包括：基材预处理步骤，其按不同顺序进行孔形成步骤及金属附着步骤的2个步骤，其中孔形成步骤是对至少具有绝缘层与第1金属层的核心基材实施开孔加工，以在绝缘层中设置从绝缘层的另一面到第1金属层的孔，金属附着步骤则是在绝缘层的另一面附着特定的金属或金属离子；基材预处理步骤后的去胶渣步骤，以等离子蚀刻作去胶渣处理；去胶渣步骤后的清洗步骤，使用酸性溶液清洗核心基材；镀敷步骤，其对绝缘层供给镀敷触媒或其前驱物，并进行镀敷处理，以在绝缘层上形成经由孔与第1金属层导通的第2金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 制造 方法 去胶渣 处理 | ||
【主权项】：
一种多层基板的制造方法，包括：基材预处理步骤，其按不同顺序进行孔形成步骤及金属附着步骤的2个步骤，所述孔形成步骤是对至少具有配置于最表层的绝缘层与设置于所述绝缘层的一个面的第1金属层的核心基材实施开孔加工，以将自所述绝缘层的另一面到所述第1金属层的孔设置于所述绝缘层中，且所述金属附着步骤是在所述绝缘层的另一面附着选自由原子序13～14、21～33及39～50的元素所组成群组中的金属或其离子；去胶渣步骤，其在所述基材预处理步骤后，通过等离子蚀刻进行去胶渣处理；清洗步骤，其在所述去胶渣步骤后，使用酸性溶液清洗所述核心基材；镀敷步骤，其对所述绝缘层供给镀敷触媒或镀敷触媒的前驱物，并进行镀敷处理，以在所述绝缘层上形成经由所述孔与所述第1金属层导通的第2金属层。
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