[发明专利]晶片级分割的方法和系统有效
申请号: | 201280009324.0 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN103370780A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 克劳斯·许格拉夫;塞沙德里·拉马斯瓦米;迈克尔·R·赖斯;莫森·S·塞莱克;克拉斯·H·比约克曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/301 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开一种分割多个半导体小晶片的方法,该方法包括:提供载体基板;和将半导体基板接合至该载体基板。该半导体基板包括多个器件。该方法还包括:在该半导体基板上形成掩模层;曝光该掩模层的预定部分;和处理该掩模层的该预定部分,以在该半导体基板上形成预定掩模图案。该方法进一步包括:形成多个半导体小晶片,所述多个半导体小晶片的每一个半导体小晶片与该预定掩模图案相结合并包括多个器件的一个或多个器件;和从该载体基板分离所述多个半导体小晶片。 | ||
搜索关键词: | 晶片 分割 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种分割多个半导体小晶片的方法,所述方法包括以下步骤:提供载体基板;将半导体基板接合至所述载体基板,其中所述半导体基板包括多个器件;在所述半导体基板上形成掩模层;曝光所述掩模层的预定部分;处理所述掩模层的所述预定部分,以在所述半导体基板上形成预定掩模图案;形成所述多个半导体小晶片,所述多个半导体小晶片的每一个半导体小晶片与所述预定掩模图案相结合并包括所述多个器件的一个或多个器件;和从所述载体基板分离所述多个半导体小晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造