[发明专利]用于伪随机数生成的半导体存储器件无效
申请号: | 201280010818.0 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN103403670A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 长井裕士;井上敦史;竹山嘉和 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G06F7/58 | 分类号: | G06F7/58 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据一个实施例,一种半导体存储器件包括:存储基元阵列,其包括多个存储基元;随机数生成电路,其被配置为生成随机数;以及控制器,其被配置为控制所述存储基元阵列和所述随机数生成电路。所述随机数生成电路包括:随机数控制电路,其被配置为基于通过生成的控制参数从所述存储基元读出的数据而生成随机数参数;以及伪随机数生成电路,其被配置为通过使用所述随机数参数作为种子值来生成所述随机数。 | ||
搜索关键词: | 用于 随机数 生成 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:存储基元阵列,其包括多个存储基元;随机数生成电路,其被配置为生成随机数;以及控制器,其被配置为控制所述存储基元阵列和所述随机数生成电路,其中所述随机数生成电路包括:随机数控制电路,其被配置为基于通过生成的控制参数从所述存储基元读出的数据而生成随机数参数;以及伪随机数生成电路,其被配置为通过使用所述随机数参数作为种子值来生成所述随机数。
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