[发明专利]四氮杂靴二蒽化合物及其作为n-型半导体的用途有效
| 申请号： | 201280012255.9 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103415522A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | L·加德;S·马滕斯;S·盖伯 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C07D487/06 | 分类号： | C07D487/06;H01L51/00;H01L51/50;H01L51/05;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： |
一种式(I)的四氮杂靴二蒽化合物，其中：R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8在每次出现时独立地选自H、Cl和Br，条件是R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个为Cl或Br，R9、R10在每次出现时独立地选自H、C1-30烷基、C1-30卤代烷基、C6-14芳基、具有5至14个环原子的杂芳基和C7-20芳基烷基，其中芳基、杂芳基和芳基烷基可任选地经一个或多个以下基团取代：卤素、C1-4卤代烷基、-CN、-NO2、-CHO、-COOH、-CONH2、-CO(C1-14烷基)、-COO(C1-14烷基)、-CONHC(C1-14烷基)和-CON(C1-14烷基)2基团。 |
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| 搜索关键词： | 四氮杂靴二蒽 化合物 及其 作为 半导体 用途 | ||
【主权项】：
1.一种式(I)的四氮杂靴二蒽化合物：![]()
其中：R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8在每次出现时独立地选自H、Cl和Br，条件是R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个为Cl或Br，R9、R10在每次出现时独立地选自H、C1-30烷基、C1-30卤代烷基、C6-14芳基、具有5至14个环原子的杂芳基和C7-20芳基烷基，其中芳基、杂芳基和芳基烷基可任选地经一个或多个以下基团取代：卤素、C1-4卤代烷基、-CN、-NO2、-CHO、-COOH、-CONH2、-CO(C1-14烷基)、-COO(C1-14烷基)、-CONHC(C1-14烷基)和-CON(C1-14烷基)2基团。
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