[发明专利]用于金属及金属氧化物膜的蚀刻的方法有效
| 申请号： | 201280013237.2 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103430288A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | J·张;王安川;N·英格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种从包括含金属层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻含金属膜的方法，包括以下步骤：使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；以及施加能量到所述含氟气体，以在所述等离子体产生区域中产生等离子体。所述等离子体包括氟自由基与氟离子。所述方法还包括以下步骤：过滤所述等离子体，以提供具有比氟离子更高浓度的氟自由基的反应性气体；以及使所述反应性气体流动到所述基板处理腔室的气体反应区域内。所述方法还包括以下步骤：使所述基板暴露于所述基板处理腔室的所述气体反应区域中的所述反应性气体。相较于所述反应性气体蚀刻所述氧化硅层而言，所述反应性气体以更高的蚀刻速率来蚀刻所述含金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 氧化物 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种从包括含金属层与氧化硅层的基板选择性地蚀刻含金属膜的方法，所述方法包括以下步骤：使含氟气体流动到基板处理腔室的等离子体产生区域内；施加能量到所述含氟气体，以在所述等离子体产生区域中产生等离子体，所述等离子体包括氟自由基与氟离子；过滤所述等离子体，以提供具有比氟离子更高浓度的氟自由基的反应性气体；使所述反应性气体流动到所述基板处理腔室的气体反应区域内；及使所述基板暴露于所述基板处理腔室的所述气体反应区域中的所述反应性气体，其中相较于所述反应性气体蚀刻所述氧化硅层而言，所述反应性气体以更高的蚀刻速率来蚀刻所述含金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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