[发明专利]非活跃的哑像素无效
| 申请号： | 201280013291.7 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103430079A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | K·阿弗拉托尼;F·帕拉哈米;S·甘蒂 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | G02B26/00 | 分类号： | G02B26/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开提供了用于具有非活跃哑像素的显示器的系统、方法和装置，其包括编码在计算机存储介质上的计算机程序。显示装置可包括具有第一电极层和第二电极层的子像素。边缘子像素的第一电极层可包括开口，可使该开口足够大以防止该边缘子像素致动。开口的大小还可被选择成达到边缘子像素阵列的期望整体反射率。举例而言，各开口的大小可被选择为使边缘像素阵列的反射率与布线区域的反射率相似。 | ||
| 搜索关键词： | 活跃 像素 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：布线区域；包括多个活跃子像素的活跃子像素阵列；阵列驱动器；以及边缘子像素阵列，其包括配置成提供所述布线区域与所述活跃子像素阵列之间的电连通性的多个边缘子像素，所述边缘子像素和所述活跃子像素中的每一个包括第一导电层和第二导电反射层，所述边缘子像素的所述第一导电层中形成有开口，所述开口足够大以在所述阵列驱动器经由所述边缘子像素向所述活跃子像素阵列施加活跃子像素致动电压时防止所述边缘子像素致动。
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