[发明专利]谱成像探测器有效
| 申请号： | 201280014657.2 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103443652B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | R·P·卢赫塔;R·A·马特森 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/20 | 分类号： | G01T1/20;G01T1/29 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 舒雄文,蹇炜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种方法，包括获得具有两个相对的主表面的光电传感器基底（236）。所述两个相对的主表面中的一个主表面包括由至少一个光电传感器元件（232，234）构成的至少一个光电传感器行（230），并且所获得的光电传感器基底具有等于或大于一百微米的厚度。所述方法还包括将闪烁体阵列（310）光学耦合至所述光电传感器基底。所述闪烁体阵列包括由至少一个互补闪烁体元件（226，228）构成的至少一个互补闪烁体行（224），并且所述至少一个互补闪烁体行光学耦合至所述至少一个光电传感器行（230）且所述至少一个互补闪烁体元件光学耦合至所述至少一个光电传感器元件。所述方法还包括对光学耦合至所述闪烁体的所述光电传感器基底进行减薄，产生光学耦合至所述闪烁体并且厚度在小于一百微米的量级的减薄的光电传感器基底。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 探测器 | ||
【主权项】：
一种包括减薄步骤的方法，包括：获得具有两个相对的主表面(302和308)的光电传感器基底(236)，其中，所述两个相对的主表面中的一个主表面包括由至少一个光电传感器元件(232，234)构成的至少一个光电传感器行(230)，并且所获得的光电传感器基底具有等于或大于一百微米的厚度；将闪烁器阵列(310)光学耦合至所述光电传感器基底，其中，所述闪烁器阵列包括由至少一个互补闪烁器元件(226，228)构成的至少一个互补闪烁器行(224)，并且所述至少一个互补闪烁器行光学耦合至所述至少一个光电传感器行(230)且所述至少一个互补闪烁器元件光学耦合至所述至少一个光电传感器元件；以及对光学耦合至所述闪烁器的所述光电传感器基底进行减薄，产生光学耦合至所述闪烁器的厚度在小于一百微米的量级的减薄的光电传感器基底。
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