[发明专利]半导体装置和显示装置无效
| 申请号： | 201280016326.2 | 申请日： | 2012-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103460391A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 原义仁;中田幸伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置（100）具有二极管元件（10）。二极管元件（10）具有：与薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极（3）；氧化物半导体层（5）；和与薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成，并且与氧化物半导体层（5）接触的第二电极（6）和第三电极（7）。氧化物半导体层（5）在第一电极（3）与第二电极（6）之间、以及第一电极（3）与第三电极（7）之间分别具有偏置区域（19）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有：绝缘基板；在所述绝缘基板上形成的多个配线；多个薄膜晶体管；和多个二极管元件，该多个二极管元件各自将所述多个配线中的2条配线相互电连接，所述半导体装置的特征在于：所述多个二极管元件各自具有：与所述薄膜晶体管的栅极电极由相同的导电膜形成的第一电极；在所述第一电极上形成的氧化物半导体层；和与所述薄膜晶体管的源极电极由相同的导电膜形成，并且与所述氧化物半导体层接触的第二电极和第三电极，所述氧化物半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间、以及所述第一电极与所述第三电极之间分别具有偏置区域，在从所述绝缘基板的法线方向看时，所述偏置区域与所述第一电极不重叠。
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