[发明专利]有机EL元件的制造方法有效
| 申请号： | 201280017672.2 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103503566B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 青沼昌树 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本有机雷特显示器 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/50;H05B33/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐健;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种有机EL元件的制造方法，所述有机EL元件具有包括上部电极和下部电极的一对电极、以及设置在所述一对电极之间的有机功能层，所述制造方法中，使用磁控溅射法，以4.5W/cm2以上且9.0W/cm2以下的成膜功率密度，在有机功能层上形成上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 el 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机EL元件的制造方法，所述有机EL元件具有包括上部电极和下部电极的一对电极、以及设置在所述一对电极之间的有机功能层，所述制造方法包括:使用磁控溅射法，以4.5W/cm2以上且9.0W/cm2以下的成膜功率密度，在所述有机功能层上形成所述上部电极的步骤，使形成上部电极时的每单位动态速率的离子电流密度为0.2mA/cm2以上且0.4mA/cm2以下。
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