[发明专利]用于制造半导体本体的方法有效
| 申请号： | 201280018440.9 | 申请日： | 2012-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103477453A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 科比尼安·佩尔茨尔迈尔;黑里贝特·齐尔;弗朗茨·埃伯哈德;托马斯·法伊特;马蒂亚斯·肯普夫;延斯·丹尼马克 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出一种用于制造半导体本体（3）的方法，其具有下述步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有至少两个芯片区域（1）和设置在芯片区域（1）之间的至少一个分离区域（2），其中，半导体晶圆具有层序列，所述层序列的最外层至少在分离区域（2）内具有透射层（8），所述透射层对于电磁辐射而言是可穿透的；实施下述措施中的至少一个措施：移除在分离区域（2）内的透射层（8），在分离区域内施加吸收层（16），提高在分离区域内的透射层的吸收系数；以及借助于激光沿着分离区域（2）分离芯片区域（1）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 本体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体本体（3）的方法，具有下述步骤：‑提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有至少两个芯片区域（1）和设置在所述芯片区域（1）之间的至少一个分离区域（2），其中，所述半导体晶圆具有层序列，所述层序列的最外层至少在所述分离区域（2）内具有透射层（8），所述透射层对于电磁辐射而言是可穿透的；‑实施下述措施中的至少一个措施：移除在所述分离区域（2）内的所述透射层（8）；在所述分离区域内施加吸收层（16）；提高在所述分离区域内的所述透射层的吸收系数；以及‑借助于激光沿着所述分离区域（2）分离所述芯片区域（1）。
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