[发明专利]改进的衬底处理系统无效
| 申请号： | 201280019591.6 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103703553A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 白承昊;丁锺才;金泰进 | 申请（专利权）人： | 洛克系统私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;王涛 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 一种处理IC单元的方法，包括以下步骤：从衬底切分所述IC单元；递送所述IC单元至空载块；在所述单元在所述空载块上的同时使用检查设备检查所述单元的在切分步骤中外露的面；然后，将所述单元与拣选机组件相接；在第二检查设备上方传递所述单元以检查所述单元的相反面。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 衬底 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种处理集成电路单元的方法，所述方法包括以下步骤：从衬底切分所述集成电路单元；递送所述集成电路单元至空载块；在所述单元在所述空载块上的同时使用检查设备检查所述单元的在切分步骤中外露的面；然后，将所述单元与拣选机组件相接；在第二检查设备上方传递所述单元以检查所述单元的相反面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
