[发明专利]静电夹盘的氮化铝电介质修复有效
申请号: | 201280020074.0 | 申请日: | 2012-04-16 |
公开(公告)号: | CN103493194A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 小温德尔·G·博伊德;约瑟夫·F·萨默斯;威廉·M·吕;拉扬·巴勒森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明一般涉及一种刷新的静电夹盘与一种用于刷新已使用的静电夹盘的方法。一开始,从已使用的静电夹盘移除预定量的电介质材料,以留下基部表面。接着,粗糙化所述基部表面,以提高新的电介质材料对基部表面的粘着性。接着,在粗糙化表面上喷洒新的电介质材料,然后在新的电介质材料上方放置掩模,以助于形成台面,其中在处理期间基板将座落在所述台面上。接着移除一部分新的电介质层,以形成新的台面。在移除掩模之后,台面的边缘变得平滑,且经刷新的静电夹盘可在清洁之后准备返回作业。 | ||
搜索关键词: | 静电 氮化 电介质 修复 | ||
【主权项】:
一种用于刷新静电夹盘的方法,所述方法包含以下步骤:测量在静电夹盘主体的上表面下方的电极的深度;回应于测量的所述深度,确定所述静电夹盘主体的待移除部分的厚度;移除所述静电夹盘主体的所述部分,以暴露基部表面;粗糙化所述基部表面;在粗糙化基部表面上等离子体喷洒电介质材料,以于所述基部表面上形成喷洒材料的电介质层;压缩所述喷洒材料的电介质层;以及选择性移除压缩的所述喷洒材料的电介质层中的材料,以建立新的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280020074.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于通信的方法和系统
- 下一篇:用于开关或计量流体的阀装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造