[发明专利]具有在漂移区下面的腔体的DMOS晶体管有效
| 申请号： | 201280020245.X | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103503151A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | W·弗兰茨;V·瓦施琛克;R·W·弗提;A·萨多夫尼科夫;P·博拉;P·J·浩珀 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在绝缘体上的硅（SOI）结构（102）上形成的横向DMOS晶体管（300）由于在所述SOI结构的体区（104）中形成的腔体（310）而具有较高的击穿电压。所述腔体露出位于所述DMOS晶体管的漂移区的垂直正下方的所述SOI结构的绝缘体层（106）的底表面的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 漂移 下面 dmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种DMOS晶体管，其包括：绝缘体上的硅即SOI结构，其具有：具有顶表面的体区；接触所述体区的所述顶表面的绝缘体层，所述绝缘体层具有顶表面和底表面；以及接触所述绝缘体层的所述顶表面的单晶半导体区，所述单晶半导体区具有：接触所述绝缘体层的第一导电类型的掺杂区；接触所述绝缘体层的第二导电类型的漂移区；以及在所述体区内的腔体，其露出所述绝缘体层的所述底表面的一部分，所述绝缘体层的所述底表面的该部分位于所述漂移区的垂直正下方。
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