[发明专利]充电构件、充电构件的制造方法、电子照相设备和处理盒

摘要

本发明提供几乎不发生清洁不良的充电构件，结果，抑制由电子照相设备产生的图像中纵条纹的形成。所述充电构件包含支承体、弹性层和表面层。所述表面层包含具有选自Si-O-M键和Si-O-Ta键的至少一种键、选自M-O-Ge键和Ta-O-Ge键的至少一种键以及Si-O-Ge键的高分子化合物。M为选自由Ti、Zr和Hf组成的组的元素。该高分子化合物具有由式(1)和(2)表示的结构单元以及由式(3)和/或(4)表示的结构单元。所述充电构件具有从它的表面延伸到所述弹性层的龟裂，并且该龟裂的边缘凸起。结果，使充电构件的表面粗糙。式(1)、式(2)Ge04/2、式(3)MO4/2、式(4)Ta05/2。

主权项

1.一种充电构件，其包含：支承体，弹性层，和表面层，其中：所述表面层包含具有如下键的高分子化合物：选自Si-O-M键和Si-O-Ta键的至少一种键，选自M-O-Ge键和Ta-O-Ge键的至少一种键，和Si-O-Ge键；所述高分子化合物具有由下式(1)表示的结构单元，由下式(2)表示的结构单元，和选自由下式(3)表示的结构单元和由下式(4)表示的结构单元的至少一种结构单元，并且所述充电构件具有从其表面延伸到所述弹性层的龟裂，并且所述龟裂具有凸状隆起的边缘，由此使所述充电构件的表面粗糙，条件是M表示选自由Ti、Zr和Hf组成的组的任意元素：式(1)在式(1)中，R₁和R₂各自独立地表示下式(5)至(8)中的任何一个：式(5)式(6)式(7)式(8)在式(5)至(8)中，R₃至R₇、R₁₀至R₁₄、R₁₉、R₂₀、R₂₅和R₂₆各自独立地表示氢原子、具有1个以上且4个以下碳原子的烷基、羟基、羧基或者氨基，R₈、R₉、R₁₅至R₁₈、R₂₃、R₂₄和R₂₉至R₃₂各自独立地表示氢原子或者具有1个以上且4个以下碳原子的烷基，R₂₁、R₂₂、R₂₇和R₂₈各自独立地表示氢原子、具有1个以上且4个以下碳原子的烷氧基或者具有1个以上且4个以下碳原子的烷基，n、m、l、q、s和t各自独立地表示1以上且8以下的整数，p和r各自独立地表示4以上且12以下的整数，x和y各自独立地表示0或者1，并且*和**分别表示键合到式(1)中的硅原子和氧原子的位置：式(2)Ge04/2式(3)MO4/2式(4)Ta05/2在式(3)中，M表示选自由Ti、Zr和Hf组成的组的任意元素。