[发明专利]用于静电释放保护的设备有效
申请号: | 201280022565.9 | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN103548138A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | E·科尼 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种设备包括静电释放(ESD)保护装置。在一个实施例中,保护装置在防止其发生瞬间电事件的内部电路的第一节点和第二节点之间。保护装置包括双极型器件或硅控整流器(SCR)。双极型器件或SCR可具有修改的结构或附加电路以具有选择的保持电压和/或触发电压来提高对内部电路的保护。附加电路可包括一个或多个电阻器、一个或多个二极管、和/或计时器电路,以将双极型器件或SCR的触发和/或保持电压调节成期望电平。保护装置可提供针对例如从大约100V至330V的瞬间电压的保护。 | ||
搜索关键词: | 用于 静电 释放 保护 设备 | ||
【主权项】:
一种设备,包括:电耦接在第一节点和第二节点之间的内部电路;以及电耦接在第一节点和第二节点之间的保护装置,其中保护装置被配置成保护内部电路以防止瞬间电事件,保护装置包括:具有阳极、栅极和阴极的硅控整流器(SCR),其中节点电耦接至第一节点,阴极电耦接至第二节点;以及二极管阵列,其包括串行连接在硅控整流器的栅极和阳极之间的多个二极管,并且所述多个二极管被布置成使得当二极管击穿时二极管向SCR传导电流以使得SCR导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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