[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201280023807.6 | 申请日： | 2012-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103548263A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 米田诚一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356;H01L21/822;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/786;H03K3/037 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其中输入端子与第一传输门的第一端子电连接；所述第一传输门的第二端子与第一反相器的第一端子和功能电路的第二端子电连接；所述第一反相器的第二端子和所述功能电路的第一端子与第二传输门的第一端子电连接；所述第二传输门的第二端子与第二反相器的第一端子和钟控反相器的第二端子电连接；所述第二反相器的第二端子和所述钟控反相器的第一端子与输出端子电连接；且所述功能电路包括在具有小关态电流的晶体管和电容器之间的数据保持部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括:电路，所述电路包括输入端子、第一传输门、第二传输门、第一反相器、第二反相器、功能电路、钟控反相器、以及输出端子；所述功能电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、以及电容器，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管为p沟道晶体管，其中所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，其中所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，其中所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接，其中所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与所述电容器的一个电极电连接，以及，其中所述电容器的另一电极与第二布线电连接，其中所述输入端子与所述第一传输门的第一端子电连接，其中所述第一传输门的第二端子与所述第一反相器的第一端子和所述第二晶体管的源极和漏极中的所述另一个电连接，其中所述第一反相器的第二端子和所述第二晶体管的栅极与所述第二传输门的第一端子电连接，其中所述第二传输门的第二端子与所述第二反相器的第一端子和所述钟控反相器的第二端子电连接，并且其中所述第二反相器的第二端子和所述钟控反相器的第一端子与所述输出端子电连接。
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