[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201280024635.4 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103548145A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 日野史郎;三浦成久;古川彰彦;中尾之泰;渡边友胜;多留谷政良;海老池勇史;今泉昌之;绫淳 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 于丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电类型的碳化硅半导体基板（20）；第1导电类型的碳化硅漂移层（21），形成于所述碳化硅半导体基板（20）上；第2导电类型的第1阱区域（41），在所述碳化硅漂移层（21）表层相互离开地形成而构成多个元件单元；栅绝缘膜（30），至少在所述碳化硅漂移层（21）以及各所述第1阱区域（41）上跨越地形成；栅电极（50），选择性地形成于所述栅绝缘膜（30）上；源极接触孔（61），贯通所述栅绝缘膜（30），到达至各所述第1阱区域（41）内部；以及压缩应力残留层（90），形成于所述源极接触孔（61）的至少侧面，且残留压缩应力。
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