[发明专利]发光分析装置有效
申请号: | 201280024650.9 | 申请日: | 2012-05-22 |
公开(公告)号: | CN103562435A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 山下真希;水河启美 | 申请(专利权)人: | 株式会社CREV |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/50;G01J3/02;G01J3/28;G01N21/67;H01L21/205;H05H1/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 安香子;黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 发光分析装置具备:作为第1光强度计算部的一例的等离子光强度计算部(120),通过将由分光计测器(200)计测的表示容器内的每个波长的光强度的分光光谱利用多项式近似,计算容器内的每个波长的光强度;作为第2光强度计算部的一例的分子光强度计算部(130),通过按每个波长从由上述分光计测器(200)计测的上述分光光谱所表示的光强度减去上述第1光强度计算部计算出的光强度,计算与分子或原子的亮线光谱对应的光强度;以及比计算部(140),使用第2光强度计算部计算出的光强度,计算第1分子的分子光谱或第1原子的原子光谱的峰值与第2分子的分子光谱或第2原子的原子光谱的峰值之比。 | ||
搜索关键词: | 发光 分析 装置 | ||
【主权项】:
一种发光分析装置,具备:第1光强度计算部,通过将由分光计测器计测出的表示容器内的每个波长的光强度的分光光谱利用多项式近似,计算上述容器内的每个波长的光强度;第2光强度计算部,通过按每个波长从由上述分光计测器计测出的上述分光光谱所表示的光强度减去上述第1光强度计算部计算出的光强度,计算与分子或原子的亮线光谱对应的光强度;以及比计算部,使用上述第2光强度计算部计算出的光强度,计算第1分子的分子光谱或第1原子的原子光谱的峰值与第2分子的分子光谱或第2原子的原子光谱的峰值之比。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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