[发明专利]半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极及第一漏极由构成第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成，形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极及第二漏极由构成第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。

主权项

一种半导体器件，包括：基底基板；第一半导体晶体层，位于所述基底基板的上方；第二半导体晶体层，位于所述第一半导体晶体层的部分区域的上方；第一MISFET，以所述第一半导体晶体层中上方没有所述第二半导体晶体层的区域的一部分为沟道，具有第一源极及第一漏极；以及第二MISFET，以所述第二半导体晶体层的一部分为沟道，具有第二源极及第二漏极；所述第一MISFET为第一沟道型的MISFET，所述第二MISFET为与所述第一沟道型不同的第二沟道型的MISFET；所述第一源极及所述第一漏极由构成所述第一半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成所述第一半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成所述第一半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成；所述第二源极及所述第二漏极由构成所述第二半导体晶体层的原子与镍原子的化合物、构成所述第二半导体晶体层的原子与钴原子的化合物或构成所述第二半导体晶体层的原子与镍原子和钴原子的化合物构成。