[发明专利]用于存储器的电路和方法有效
| 申请号： | 201280032406.7 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103650052B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | J·P·库尔卡尼;D·索马谢卡尔;J·W·查汉茨;V·K·德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C8/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;张立达 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了数据依赖性增强(DDB)位元单元的实施例，所述DDB位单元可以在不需要不得比增加设备尺寸的情况下来允许较小的最小单元供电(Vmin)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片，包括：存储单元的读取端口，所述读取端口包括：读取字线RWL节点，用于控制RWL晶体管；数据晶体管控制节点，用于控制数据晶体管；以及耦合在所述RWL节点和所述数据晶体管控制节点之间的电容性设备，和耦合在所述数据晶体管控制节点和所述存储单元的位节点之间的N型晶体管。
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