[发明专利]无焊内建层封装的翘曲减小有效
申请号: | 201280032555.3 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN103635996A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | P·马拉特卡尔;D·W·德莱尼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/12 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开内容涉及制造微电子封装及其制造方法的领域,其中,可以在无焊内建层无芯(BBUL-C)微电子封装内形成微电子器件,并且其中,可以在微电子器件的背部表面上设置翘曲控制结构。翘曲控制结构可以是层状结构,该层状结构包括:至少一个高热膨胀系数材料(包含但不限于填充环氧树脂材料)的层和至少一个高弹性模量材料的层(例如,金属层)。 | ||
搜索关键词: | 无焊内建层 封装 减小 | ||
【主权项】:
一种微电子封装,包括:微电子器件,其具有有源表面、相对的背部表面和至少一个侧面;以及邻近所述微电子器件背部表面的翘曲控制结构,其中,所述翘曲控制结构包括高热膨胀系数材料层和高弹性模量材料层。
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