[发明专利]体III族氮化物晶体的生长无效
| 申请号： | 201280034619.3 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103703558A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | S·皮姆普特卡;J·S·斯派克 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过用由一种或更多种III族和碱金属组成的薄湿润层或膜涂布种子的至少一个表面生产III族氮化物晶体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 晶体 生长 | ||
【主权项】：
使用由一种或更多种III族金属和一种或更多种碱金属组成的助熔剂生长III族氮化物晶体的方法，包括：用由一种或更多种III族金属和一种或更多种碱金属组成的薄湿润层涂布种子的至少一个表面；和通过使所述助熔剂接触所述种子或通过使所述种子接触所述助熔剂，在生长气氛中在所述种子上生长所述III族氮化物晶体，其中所述种子或助熔剂至少部分暴露于所述生长气氛。
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