[发明专利]多腔室CVD处理系统无效
| 申请号： | 201280035420.2 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103703544A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | A·帕兰杰佩;E·A·阿莫尔;W·E·奎恩 | 申请（专利权）人： | 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王初 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多腔室CVD处理系统，包括多个基片载体，其中，每个基片载体用于支承至少一个基片。多个外壳每个构造成用以形成沉积腔室，该沉积腔室包围多个基片载体中的一个基片载体，以保持用来执行处理步骤的独立化学沉积过程化学性质。运输机构按离散步骤将多个基片载体中的每一个基片载体运输到多个外壳中的每一个外壳，这允许在多个外壳中在预设定时间内执行处理步骤。在一些实施例中，基片载体可以是可转动的。 | ||
| 搜索关键词： | 多腔室 cvd 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种多腔室CVD处理系统，包括：a.多个基片载体，每个基片载体用于支承至少一个基片；b.多个外壳，所述多个外壳中的每一个外壳构造成用以形成一个沉积腔室，该沉积腔室包围所述多个基片载体中的一个基片载体，以保持用来执行处理步骤的独立环境；以及c.运输机构，所述运输机构按离散步骤将所述多个基片载体中的每一个基片载体运输到所述多个外壳中的每一个外壳，这允许在所述多个外壳中在预设定时间内执行处理步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
