[发明专利]紫外线发光二极管用多量子阱及其制造方法在审
| 申请号： | 201280035692.2 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103703576A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 赵炳求;闵在植;权世薰 | 申请（专利权）人： | 芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种紫外线发光二极管用多量子阱，包括：Alx1Ga1-x1N势垒部，其交替配置有AlN势垒原子层与所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层；以及Alx2Ga1-x2N量子阱部，其在所述Alx1Ga1-x1N势垒部上形成并交替配置有AlN阱原子层与在所述AlN阱原子层上形成的GaN阱原子层，其中，所述Alx1Ga1-x1N势垒部的Al组成比（x1）为0至0.7，所述Alx2Ga1-x2N量子阱部的Al组成比（x2）为0至0.7，所述Alx1Ga1-x1N势垒部的Al组成比（x1）大于所述Alx2Ga1-x2N量子阱部的Al组成比（x2），所述Alx1Ga1-x1N势垒部与所述Alx2Ga1-x2N量子阱部交替层叠2次以上。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 发光 二极 管用 多量 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种紫外线发光二极管用多量子阱，其包括：Alx1Ga1‑x1N势垒部，其交替配置有AlN势垒原子层和所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层；以及Alx2Ga1‑x2N量子阱部，其在所述Alx1Ga1‑x1N势垒部上形成并交替配置有AlN阱原子层和在所述AlN阱原子层上形成的GaN阱原子层，其中，所述Alx1Ga1‑x1N势垒部的Al组成比（x1）为0至0.7，所述Alx2Ga1‑x2N量子阱部的Al组成比（x2）为0至0.7，所述Alx1Ga1‑x1N势垒部的Al组成比（x1）大于所述Alx2Ga1‑x2N量子阱部的Al组成比（x2），所述Alx1Ga1‑x1N势垒部与所述Alx2Ga1‑x2N量子阱部交替层叠2次以上。
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