[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的半导体装置包括半导体芯片和MOSFET，该半导体芯片形成有SiC‑IGBT，该SiC‑IGBT包括SiC半导体层；以在所述SiC半导体层的背面侧露出的方式形成的第一导电型的集电极区域；以与所述集电极区域相接的方式形成的第二导电型的基底区域；以与所述基底区域相接的方式形成的第一导电型的沟道区域；以与所述沟道区域相接的方式形成、并且形成所述SiC半导体层的所述表面的一部分的第二导电型的发射极区域；与所述集电极区域连接的集电极电极；该MOSFET包括与所述发射极电极电连接的第二导电型的源极区域以及与所述集电极电极电连接的第二导电型的漏极区域，并且与所述SiC‑IGBT并联连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：形成有SiC‑IGBT（Insulated Gate Bipolar Semiconductor）的半导体芯片，该SiC‑IGBT包括：SiC半导体层，具有表面和背面；第一导电型的集电极区域，以在所述SiC半导体层的所述背面侧露出的方式形成；第二导电型的基底区域，以相对于所述集电极区域在所述SiC半导体层的所述表面侧与所述集电极区域相接的方式形成；第一导电型的沟道区域，以相对于所述基底区域在所述SiC半导体层的所述表面侧与所述基底区域相接的方式形成；第二导电型的发射极区域，以相对于所述沟道区域在所述SiC半导体层的所述表面侧与所述沟道区域相接的方式形成，形成所述SiC半导体层的所述表面的一部分；集电极电极，以与所述SiC半导体层的所述背面相接的方式形成，与所述集电极区域连接；发射极电极，以与所述SiC半导体层的所述表面相接的方式形成，与所述发射极区域连接；MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），包括与所述发射极电极电连接的第二导电型的源极区域和与所述集电极电极电连接的第二导电型的漏极区域，并且与所述SiC‑IGBT并联连接；以及与所述SiC‑IGBT并联连接的肖特基势垒二极管，该肖特基势垒二极管包括：第二导电型的漂移区域；阳极电极，与所述漂移区域进行肖特基接合，与所述发射极电极电连接；阴极电极，与所述漂移区域进行欧姆接触，与所述集电极电极电连接。