[发明专利]微电子器件有效
| 申请号： | 201280039580.4 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103733337A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | K·维尔瓦尼;K·戈帕拉克里希南;R·S·谢诺伊;D·S·贝休恩;A·J·科洛克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L29/82;H01L29/86;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在两个导电电极之间夹置的晶体半导体类肖特基势垒二极管与存储器元件、字线和位线串联，其中该设置提供大于IV的电压容限以及大于5×106A/cm2的电流密度。该类肖特基势垒二极管可以在与低温BEOL半导体加工兼容的条件下制造，可以在低电压下提供高电流，呈现高的导通-关断比，并且实现了大存储器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 器件 | ||
【主权项】：
一种微电子器件，包括：位线；MaXbY2层，其中a=0.4‑1.2，b=0.8‑1.2，M选自Cu、Ag、Li和Zn，X选自Cr、Mo和W，并且Y选自Se、S、O和Te；存储器元件；字线，并且其中，所述MaXbY2层和所述存储器元件：（i）被夹置在所述位线和所述字线之间，并且（ii）与所述字线和所述位线电串联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
