[发明专利]半导体装置

摘要

本发明公开了一种沟槽栅绝缘栅型半导体装置，所述半导体装置包括：活性区域（30），其中具有由p基极层（2）、n+发射极区域（8）、沟槽（3）、栅氧化膜（10）和掺杂多晶硅栅电极（11）构成的沟槽栅结构。p型延伸区域（C），设置在包围多个沟槽（3）的外周，并且将p基极层（2）向边缘终端结构区域（40）延伸而构成。p型延伸区域（C）包括与多个沟槽（3）同时形成的1个以上的外周环状沟槽（3a）。外周环状沟槽（3a）和最外侧的沟槽（3）之间的第2间隔或者相邻的外周环状沟槽（3a）之间的第2间隔（b）小于相邻的沟槽（3）之间的第1间隔（a）。因此，本发明的半导体装置在抑制耐压降低的同时，能够提高截止时的破坏耐量。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：活性区域；以及包围所述活性区域的边缘终端结构区域，其中，所述活性区域包括：第1导电型漂移层，其由第1导电型半导体基板构成；第2导电型基极层，其设置在所述第1导电型半导体基板的一个主表面上；第1导电型半导体区域，其选择性地设置在所述第2导电型基极层的内部；多个沟槽，其从所述第1导电型半导体基板的一个主表面贯穿所述第1导电型半导体区域和所述第2导电型基极层后到达所述第1导电型漂移层，同时以预定的第1间隔排列；沟槽栅结构，其由在所述沟槽的内部沿着所述沟槽的内壁设置的栅绝缘膜和在所述沟槽的内部隔着所述栅绝缘膜设置的栅电极构成；金属电极，其与所述第2导电型基极层以及所述第1导电型半导体区域接触；第2导电型延伸区域，其由所述第2导电型基极层从多个所述沟槽中的最外侧的所述沟槽向外侧延伸而构成；1个以上的外周环状沟槽，其从所述第1导电型半导体基板的一个主表面贯穿所述第2导电型延伸区域而到达所述第1导电型漂移层，同时将全部所述沟槽包围，其中，所述外周环状沟槽和最外侧的所述沟槽之间的第2间隔，或者在具有多个所述外周环状沟槽的情况下在相邻的所述外周环状沟槽之间的第2间隔比所述第1间隔小，且在将所述第2间隔设为b，将所述第1间隔设为a的情况下，满足b/a﹤0.8，在所述第2导电型延伸区域中，被夹在所述外周环状沟槽和最外侧的所述沟槽之间的部分的表面，或者在具有多个所述外周环状沟槽的情况下被夹在相邻的所述外周环状沟槽之间的部分的表面与所述金属电极电连接。