[发明专利]能够进行热处理的低辐射玻璃及其制造方法有效
申请号: | 201280040298.8 | 申请日: | 2012-08-06 |
公开(公告)号: | CN103748052A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 金雄吉;权大勋;田允淇 | 申请(专利权)人: | 乐金华奥斯有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;B32B15/04 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋;杨生平 |
地址: | 韩国首*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及在热处理前后也没有特性的变化,因而能够进行热处理,并且耐久性也优秀的低辐射玻璃及其制造方法。本发明的能够进行热处理的低辐射玻璃,其特征在于,包括:太阳光调节金属层,形成于玻璃基材的上部,第一电介质层,形成于上述太阳光调节金属层的下部,第二电介质层,形成于上述太阳光调节金属层的上部,以及最上部保护层,形成于上述第二电介质层的上部;上述第一电介质层具有由最下部电介质层与下部金属保护电介质层层叠的结构,上述最下部电介质层包含金属氧化物,上述下部金属保护电介质层包含金属(氧)氮化物;由此,本发明具有在进行热处理后,低辐射玻璃的特性也没有变化的优点。 | ||
搜索关键词: | 能够 进行 热处理 辐射 玻璃 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种低辐射玻璃,其特征在于,包括:太阳光调节金属层,形成于玻璃基材的上部,第一电介质层,形成于上述太阳光调节金属层的下部,第二电介质层,形成于上述太阳光调节金属层的上部,以及最上部保护层,形成于上述第二电介质层的上部;上述第一电介质层具有由最下部电介质层与下部金属保护电介质层层叠的结构,上述最下部电介质层包含金属氧化物,上述下部金属保护电介质层包含金属(氧)氮化物。
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