[发明专利]光电子器件封装、阵列和制造方法有效

专利信息
申请号: 201280042554.7 申请日: 2012-07-26
公开(公告)号: CN103959499B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: D.S.法夸尔 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/52;H01L33/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 肖日松;严志军
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供光电子器件封装、光电子器件封装的阵列和制造光电子器件封装的方法。阵列包括多个光电子器件封装,每个封闭光电子器件,并且定位成至少一排。每个封装包括两个几何平行透明边缘部分和大致正交于透明边缘部分取向的两个几何平行非透明边缘部分。透明边缘部分配置成与至少一个相邻封装重叠,并且可以气密密封。光电子器件部分使用R2R制造技术进行制造。
搜索关键词: 光电子 器件 封装 阵列 制造 方法
【主权项】:
一种光电子器件封装,其包括:沿着第一边缘部分和第二边缘部分限定透明区域的边缘密封区域,其中所述第一边缘部分和所述第二边缘部分是所述光电子器件封装的几何平行部分;以及沿着第三边缘部分和第四边缘部分限定非透明区域的边缘密封区域,其中所述第三边缘部分和所述第四边缘部分是几何平行边缘部分,并且大致正交于所述光电子器件封装的所述第一边缘部分和所述第二边缘部分取向,其中所述边缘密封区域的透明的第一边缘部分和第二边缘部分中的至少一个配置成与至少一个相邻的光电子器件封装重叠;并且所述边缘密封区域的非透明的第三边缘部分和第四边缘部分包括导电层,所述导电层配置成经由多个触头将光电子器件的阳极和阴极连接到外部电源;所述阴极和所述阳极延伸通过所述边缘密封区域的非透明部分。
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