[发明专利]具有替换控制栅极和附加浮置栅极的非易失性存储器位单元有效
| 申请号： | 201280043909.4 | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103782343B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | A·W·霍施 | 申请（专利权）人： | 美商新思科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑振 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 各实施例涉及一种具有替换金属控制栅极和附加浮置栅极的非易失性存储器（“NVM”）位单元。可以使用无任何附加工艺步骤的标准互补金属‑氧化物‑半导体制造工艺（“CMOS工艺”）来创建该位单元、由此减少与制作并入NVM位单元的半导体器件关联的成本和时间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 替换 控制 栅极 附加 非易失性存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器位单元，包括：包括源极、漏极和沟道区域的衬底；浅沟槽隔离；在所述沟道区域上方的底部屏障；在所述底部屏障上方的浮置栅极，所述浮置栅极覆盖所述沟道区域，并且至少部分覆盖在所述浮置栅极的至少两侧上的所述浅沟槽隔离，并且至少部分覆盖所述源极和所述漏极；在所述浮置栅极上方的顶部屏障；电介质层，包括具有比所述顶部屏障的介电常数更高的介电常数的材料，所述电介质层直接接触所述顶部屏障；以及控制栅极，其延伸过并且覆盖所述浮置栅极的至少四个侧壁的至少一部分并且还覆盖所述浮置栅极中的顶表面，所述控制栅极直接接触所述电介质层。
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