[发明专利]采用用于结势垒阵列的元件的凹处的肖特基二极管

摘要

本公开一般地涉及一种肖特基二极管，所述肖特基二极管具有衬底、在所述衬底之上所提供的漂移层和在所述衬底的活性区域之上所提供的肖特基层。结势垒阵列被提供在正好在所述肖特基层下方的漂移层中。所述结势垒阵列的元件通常是漂移层中的掺杂区域。为了增大这些掺杂区域的深度，单独凹处可以被形成在其中将形成所述结势垒阵列的元件的漂移层的表面中。一旦所述凹处被形成在所述漂移层中，在所述凹处附近和底部处的区域被掺杂以形成所述结势垒阵列的相应元件。

主权项

一种半导体设备，包括具有第一表面的漂移层，所述第一表面具有活性区域和多个结势垒元件凹处，其中所述漂移层掺杂有第一电导率类型的掺杂材料；在所述第一表面的活性区域上的用以形成肖特基结的肖特基层；和多个第一掺杂区域，其延伸到在所述多个结势垒元件凹处中对应多个的附近的漂移层中，并且在所述肖特基结下方的漂移层中形成结势垒元件的阵列，其中所述多个第一掺杂区域掺杂有第二电导率类型的掺杂材料，所述第二电导率类型与所述第一电导率类型相对。