[发明专利]肖特基二极管有效
| 申请号： | 201280044080.X | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103782393A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | J.P.亨宁;Q.张;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔摩尔;S.艾伦 | 申请（专利权）人： | 科锐 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;胡莉莉 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明总体上涉及一种肖特基二极管，所述肖特基二极管具有衬底、在所述衬底上所提供的漂移层和在所述漂移层的有源区域上所提供的肖特基层。选择用于所述肖特基层的金属以及用于所述漂移层的半导体材料，用以在所述漂移层和所述肖特基层之间提供低位垒高度肖特基结。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括：漂移层，其具有与有源区域和同所述有源区域基本上横向相邻的边缘终端区域相关联的第一表面，其中所述漂移层主要地掺杂有第一导电类型的掺杂材料，并且所述边缘终端区域具有从所述第一表面延伸到所述漂移层中的边缘终端凹进；在所述第一表面的有源区域上的用以形成肖特基结的肖特基层，所述肖特基层由有低位垒高度能力的金属形成；在边缘终端凹进的底表面中所形成的边缘终端结构。
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