[发明专利]具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201280044503.8 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103797567A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 篠田智则;古馆正启;高野健 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/544;C09J7/40;C09J201/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下（a）～（c）的特性：（a）熔点超过130℃，或者不具有熔点、（b）以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5～+5%、（c）MD方向及CD方向的断裂伸长率为100%以上，25%应力为100MPa以下。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护膜 形成层 切割 膜片 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有保护膜形成层的切割膜片，其具有基材膜、粘着剂层和保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜包括聚丙烯膜，并且，基材膜包括如下(a)～(c)的特性：(a)熔点超过130℃，或者不具有熔点、(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为-5～+5％、(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100％以上，25％应力为100MPa以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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