[发明专利]发光元件、发光元件的制造方法以及发光装置有效
| 申请号： | 201280051053.5 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103890982A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴竹悟志 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;C09K11/00;C09K11/08;C09K11/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种产生宽波长带的发光的发光元件。发光元件（1）具备第1波长转换部（11）和第2波长转换部（12）。第1波长转换部（11）包含以A1B1Ow1所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。第2波长转换部（12）包含以A2B2Ow2所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷。A1、A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi。B1、B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种。A1中的La的含量多于A2中的La的含量。A2中的Y、Gd及Lu的含量多于A1中的Y、Gd及Lu的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种发光元件，其具备：第1波长转换部、及第2波长转换部，其配置在所述第1波长转换部上，所述第1波长转换部包含以A1B1Ow1（其中，A1包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B1包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W1为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，所述第2波长转换部包含以A2B2Ow2（其中，A2包含选自La、Y、Gd、Yb及Lu中的至少一种、和0.001摩尔%～5摩尔%的Bi，B2包含选自Sn、Zr及Hf中的至少一种，W2为用以保持电中性的正数）所表示的烧绿石型化合物为主成分的陶瓷，所述A1中的La的含量多于所述A2中的La的含量，所述A2中的Y、Gd及Lu的含量多于所述A1中的Y、Gd及Lu的含量。
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