[发明专利]具有腔室壁温度控制的等离子体反应器

摘要

于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。

主权项

一种用于处理基板的设备，包括：第一导电本体，经调整尺寸以绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，所述内缘耦接至所述第一导电本体的第一端，所述外缘自所述内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至所述第一导电环的所述外缘，并具有至少一部分设于所述第一导电环上，其中所述第二导电本体的所述至少一部分及所述第一导电环部分地界定所述第一导电环上的第一区域；第三导电本体，耦接至所述第一导电本体的与所述第一端相对的第二端以防止所述第一导电本体直接接触所述处理腔室的壁，其中所述第三导电本体、所述第一导电环及所述第一导电本体部分地界定设于所述第一区域下的第二区域；及加热器，经配置成加热所述第一导电本体、所述第二导电本体及所述第一导电环。