[发明专利]用于调整半导体晶体管的驱动电流的方法和装置有效
| 申请号： | 201280052476.9 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103891144B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杨志坚;王平川;冯凯棣;爱德华·J·小浩斯泰特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H03K17/30 | 分类号： | H03K17/30;H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于修复晶体管的方法和装置，包括：给PFET的源极施加第一电压，给PFET的栅极施加第二电压，以及给PFET的漏极施加第三电压达预定时间。其中第一电压大于第二电压，并且第二电压大于第三电压。本发明人已经确定，通过施加这些电压，被捕获于栅极电介质内的空穴将会减少。以此方式，可以修复半导体结构或者使其恢复至或接近最初的操作特性。另一种实施例是通过给NFET的漏极施加第一电压、给NFET的栅极施加第二电压以及给NFET的源极施加第三电压达预定时间来修复NFET晶体管的方法和装置。第一电压大于第二电压，而第二电压大于第三电压。如同在第一实施例中所示出的，本发明的目的是修复晶体管。在NFET的情形中，电子在正常的操作期间聚积于栅极电介质上。通过按照所描述的方式来施加电压，可以修复晶体管以使其在处于或接近于最初的规范下操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 调整 半导体 晶体管 驱动 电流 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于修复晶体管的方法，包括：给PFET(300)的源极(304)施加第一电压达第一预定时间；给所述PFET(300)的栅极(302)施加第二电压达所述第一预定时间；以及给所述PFET的漏极(306)施加第三电压达所述第一预定时间，其中所述第一电压大于所述第二电压，而所述第二电压大于所述第三电压，并且其中所述第一电压与所述第二电压之间的电压差在0与所述PFET(300)的电压阈值之间。
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